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远拓机电对于IGBT模块串联问題?

远拓机电 人气:11 发表时间:2020-10-05 08:45:53

远拓机电对于IGBT模块串联问題

IGBT模块是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT模块的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就会使它损坏。为此,必须但对IGBT模块进行相关保护本文从实际应用出发,总结出了过流、过压与过热保护的相关问题和各种保护方法,实用性强,应用效果好。

  在高压条件下工作的逆变器IGBT需要承受高电压。有时为了选用通用的低电压IGBT替代高电压IGBT工作,需要采用IGBT模块串联来提高承受高电压。

采用IGBT串联运行必须注意如下问题。

    (1)应采用静态均压措施, 通常是在串联IGBT上并联电阻使IGBT模块静态时承受的电压相等。比如两个IGBT串联,每个IGBT模块承受的电压在桥式逆变器中应为1/4的直流母线高电压。流过均压电阻中的电流必须足够大,否则均压稳定性差,一般流过均压电阻的电流最好取为IGBT的漏电流。

    (2)选用同一批次、同一参数的IGBT模块。

    (3)驱动电路设计参数要一致,对称布置降低各IGBT驱动产生的延迟差。

    (4)散热条件要相同,使IGBT的结温T饱和压降V达到均衡。

    (5)采用相同参数,对称布局的吸收缓冲电压,达到平衡电压上升率,实动态均压。

    (6)IGBT串联使用受静态、动态参数的影响比较多,比IGBT并联实现g来问题复杂一些。为此建议一般情况下不主张采用IGBT串联运行模式,最好采用高等级耐压的IGBT模块,或者采用两级H桥式逆变器级联,来实现在高压直流母线下运行其工作可靠性、安全性均要比采用IGBT直接串联使用来得高。

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